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effet Hall
Le semi-conducteur ou la feuille est placé dans un champ magnétique et, en cas de courant (dans le plan de la feuille perpendiculaire au champ magnétique), une force électromotrice est générée dans une direction perpendiculaire au champ magnétique et au courant. Ce phénomène s'appelle un effet Hall.
2. élément de Hall
Les matériaux de Hall couramment utilisés sont le germanium (Ge), le silicium (Si), l'antimoniure d'indium (InSb), l'arséniure d'indium (InAs), etc. Le creuset de type N est facile à traiter et à fabriquer, le coefficient de Hall, les performances thermiques et la linéarité sont meilleurs; Le silicium de type P présente la meilleure linéarité, le coefficient de Hall et les performances thermiques sont identiques à ceux du creuset de type N, mais la mobilité des électrons est plus faible et la capacité de charge est meilleure. Pauvre, généralement pas un seul élément Hall.
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